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稀土永磁材料-烧结钕铁硼磁体的晶界调控技术。
晶界调控是另一种有效提升矫顽力的技术方案。通过配方和工艺的调整对晶界相进行调控，有望降低晶界相的铁磁性或使其转变为非铁磁性，从而起到更好地降低或去除晶粒之间磁性耦合的作用，使内稟矫顽力在现有水平基础上进一步提高。2014年，Chen等通过电磁感应涡流退火进行晶界调控，使无重稀土细晶粒烧结钕铁硼磁体的矫顽力由19.01k0e提高至20.56kOe。
早期研究揭示掺Ga可获得高矫顽力的烧结钕铁硼磁体。2010年日本昭和电工专利公布了一种高Ga低B配方的磁体，可在不添加或少添加Tb或Dy的情况下获得高矫顽力（CN102959648），这使得含Ga烧结钕铁硼磁体再度受到关注，Sasaki等指出高Ga（原子百分含量0.5％，质量分数0.52％）低Ｂ（5.1%,0.83%）配方烧结钕铁硼磁体可在不添加Tb或Dy且晶粒没有特别细的前提下矫顽力达到18kOe。磁体主相晶粒间的薄层晶界相中稀土含量高达90%，矫顽力大幅度提升的主要原因是在主相晶粒间形成高稀土含量的非磁性晶界相，极大增强了晶粒间的去磁耦合作用。实验表明，该类磁体对成分和工艺的敏感性较高。
目前，高Ga低B无重稀土合金已经用于烧结钕铁硼磁体生产中，如典型产品N48H（Hcj>17kOe, (BH)max=40~50MGOe）。
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